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Search: GaAs(111)A表面におけるSiドーピング機 構に関する理論的研究
第11号(2002年4月~2003年3月)
第 2 章 Si 原子層エピタキシー
資料2-8(別表1)
A-a1. A-a2. 1 - Kanazawa University, Institute for Theoretical Physics
基板上リン化ホウ素の結晶構造と 電気的特性に関する研究 伊野 裕司
FMS研究成果報告書(28年3月)
研究成果報告書概要
Ⅱ.業 務 - AIST: 産業技術総合研究所
4 - 東京大学学術機関リポジトリ
第1回(1980年;東京) - Symposium on UltraSonic Electronics
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